Das Hauptproblem der meisten PDA-Computer ist der hohe Stromverbrauch: Selbst einige der neuesten Modelle dieser "Personal Digital Assistants" laufen nur wenige Tage, und schon ist die Batterie leer. Eine längere Akku-Lebensdauer verspricht eine neue Technik für DRAM-Speicherbausteine, wie sie jetzt vom Chip-Hersteller Infineon vorgestellt wurde.

Im aktiven Betrieb des Kleincomputers sind Prozessor und Farbbildschirm die größten Stromfresser. Im Standby-Modus aber, auf den beim PDA im Schnitt 80 Prozent der gesamten Laufzeit entfallen, schluckt der DRAM-Speicher am meisten Strom, weil seine Speicherzellen regelmäßig aufgefrischt werden müssen. "Daten wie Kalendereinträge bleiben nur so lange gespeichert, wie der DRAM mit Strom versorgt wird", erklärt Infineon-Manager Ernst Strasser, Fachmann für DRAM-Bausteine. "Diesen Self-Refresh-Strom haben wir auf einen möglichst niedrigen Wert reduziert."

Geringere Spannung und "Powermanagement"

Dazu wurde zunächst die Spannung verringert, die auf den Baustein angelegt wird: Statt der 3,3 Volt bei bisherigen DRAM-Chips sind es bei den neuen "Mobile RAMs" von Infineon nur noch 1,8 bis 2,5 Volt. Außerdem bekommen die Speicherbausteine ein intelligentes "Powermanagement" spendiert: Aufgefrischt werden nur noch diejenigen Speicherzellen, in denen auch wirklich Daten abgelegt sind.

Den Unterschied erkennt das Betriebssystem des Kleincomputers. Die mit der Abkürzung PASR (Partial Array Self Refresh) bezeichnete Technik wird von Windows CE/PocketPC (Microsoft), Linux, Palm und EPOC/Symbian unterstützt. Die mit den neuen Chips mögliche Einsparung beim Strombedarf beziffert Infineon mit über 50 Prozent.

Auch Samsung und Micron nutzen PASR-Technik

Die Speicherchips können auch in digitalen Kameras (dort vor allem zum Zwischenspeichern von Bilddaten), MP3-Playern oder Smartphones zum Einsatz kommen - jenen Kombi-Geräten von PDA und Mobiltelefon, wie sie vor allem mit der Einführung von Breitbandtechnik wie UMTS interessant werden. Das am 1. August 2000 aus dem Siemens-Konzern ausgegliederte Unternehmen gibt seinen Marktanteil im Markt für mobile DRAM-Chips mit etwa einem Drittel an. Mit Hilfe der neuen Chips will Infineon nach Angaben Strassers seine Konkurrenten überrunden und wie schon bei den Chips für Mobiltelefone einen Marktanteil von etwa 50 Prozent erreichen. Allerdings nutzen auch die Konkurrenten Samsung und Micron die PASR-Technik und bemühen sich um eine weitgehende Einschränkung des Strombedarfs.

Die in Dresden produzierten und jetzt mit großen Stückzahlen in den Markt eingeführten DRAM-Chips haben eine Kapazität von 256 Megabit. Ab Herbst soll es dann schon den ersten Infineon-DRAM-Chip für mobile Geräte mit 512 MBit geben - und dazu beitragen, den Spagat zwischen möglichst hoher Leistung und möglichst niedrigem Stromverbrauch zu meistern.

Von Peter Zschunke, AP